Darlington-transistoren er en halvlederenhed, der er sammensat af to transistorer, der forbinder den ene emitter til den anden basis. Det resulterende kredsløb skaber en transistorækvivalent med større strømhåndteringsegenskaber og større strømforstærkning (hFE) på tværs af enheden. Forøgelsesforøgelsen er et produkt af gevinsten for de to individuelle halvledere. Hvis gevinsten for hver er 100, er den samlede gevinst for Darlington-enheden for eksempel 10.000.
Trin 1
Identificer base, samler og emitterledninger på Darlington-transistoren. Baseledningen forbindes til basen af den første transistor i parret, kollektoren er fælles forbundet med begge komponenter i paret, og emitterledningen til emitteren fra den anden transistor. Hvis du er usikker på, om enheden er af en NPN- eller PNP-type, skal du se producentens specifikationsark. De følgende trin henviser til en transistor af NPN-type. Vend polariteten i testledningerne for en PNP-enhed.
Trin 2
Drej multimeterskiven til diodeindstillingen. Hvis dit værktøj ikke har denne mulighed, skal du dreje det til den laveste Ohms-indstilling.
Trin 3
Klip eller tryk på den positive målerledning til baseledningen. Hvis dine testledninger ikke har indbyggede klip, skal du bruge alligator-klip-jumperen til at forbinde transistorledningen og målerproben. Klipning af sonden gør det lettere at arbejde med de små enheder.
Trin 4
Tryk på den negative testprobe til samleren og derefter på emitteren. En korrekt fungerende transistor viser en lav hFE (transistor strømforstærkning) aflæsning.
Trin 5
Klem den negative målerledning til transistorns basisledning.
Trin 6
Tryk på den positive ledning til emitteren og samlerledningerne. Hver aflæsning skal vise et åbent kredsløb (uendelig modstand) på grund af testudstyrets omvendte forspænding.
